Funktioner:
helt ny och hög kvalitet
Förutom huvudminnet innehåller AT45DB081E även två SRAM-buffertar på 256/264 byte vardera. Buffertarna tillåter mottagning av data medan en sida i huvudminnet omprogrammeras.
Interleaving mellan båda buffertarna kan dramatiskt öka ett systems förmåga att skriva en kontinuerlig dataström. Dessutom kan SRAM-buffertarna användas som ytterligare systemminne för scratch pad, och E2 PROM-emulering (bit- eller byteförändringar) kan enkelt hanteras med en fristående läs-modifiera-skrivoperation i tre steg.
AT45DB081E stöder även RapidS seriella gränssnitt för applikationer som kräver drift med mycket hög hastighet. Dess 8 650 752 bitar av minne är organiserade som 4 096 sidor om 256 byte eller 264 byte vardera.
AT45DB081E är ett 1,7V minimum, seriellt gränssnitt sekventiell åtkomst Flash-minne idealiskt för en mängd olika digitala röster, för bild-, programkod- och datalagringstillämpningar.
Använder ett seriellt gränssnitt för att sekventiellt komma åt sina data. Den enkla sekventiella åtkomsten minskar dramatiskt antalet aktiva stift, underlättar förenklad hårdvarulayout, ökar systemets tillförlitlighet, minimerar växlingsbrus och minskar paketstorleken.
Specifikationer:
Material: Plast + Metal
Storlek: Ca. 5x8 mm/0,19x0,31 tum
Notera:
1.Vänligen tillåt 1-2 cm fel på grund av manuell mätning, se till att du inte har något emot det innan du beställer.
2. På grund av skillnaden mellan olika bildskärmar kan bilden kanske inte reflektera objektets faktiska färg.
Förpackningen innehåller:
5x minneschip